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SiC　Silicon carbide

SiC（炭化ケイ素，シリコンカーバイド）は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。

SiCパワー半導体素子の特徴は、

  1. 小さなオン抵抗
  2. 短いスイッチング時間
  3. 高温動作

であり、パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に適しております。
また、これら半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。

The band gap of SiC(Silicon carbide) is wider approximately 3 times (3.26eV) than silicon,
the thermal conductivity is more than 3 times, and the breakdown voltage has a characteristic of approximately 10 times (2.8MV/cm).
When I lowered the on-resistance to 10mΩ cm2 same as Si, the withstand voltage of that reaches 1,200V.

Strong point of SiC power device

  1. Small on-resistance
  2. Short switching time
  3. To cope with high operating temperatures

SiC is suitable for the use to Power-MOSFET,IGBTand SBD, and use for LED, too.

SiC 製品写真

Physical Properties

Polytype 4H-SiC
Crystal Structure Hexagonal
Bandgap ～ 3.2eV
Thermal Conductivity ～ 4.9W/cm·K
Electronic mobilｉty ～ 1140c㎡/v・s
Lattice Parameters a ～ 3.073Å
c ～ 10.053Å
Mohs Hardness ～ 9.15

SiC Wafer Specification

**画面より大きな表はスクロール可能です

４H N-type Silicon Carbide wafers

Size(inch) Grade Orientation Thickness(μm) Micropipe Density(cm-2) Resistivity(Ω・cm)
4 A 4°±0.5° 350±25 ≦0.5 0.015-0.025
B ≦2
C ≦15 0.015-0.028
6 A ≦0.5 0.015-0.025
B ≦2
C ≦15 0.015-0.028

４H Semi-insulating Silicon Carbide wafers

Size(inch) Grade Orientation Thickness(μm) Micropipe Density(cm-2) Resistivity(Ω・cm)
4 A 0°/4°±0.5° 500±25 ≦1 ≧1E7
B ≦5
C ≦15 ≧1E5
6 A ≦1
B ≦5
C ≦15

４H N-type Silicon Carbide Ingot

Size(inch) Grade Orientation Length(mm) Micropipe Density(cm-2)
4 B 4°±0.5° 5～10 ≦15
10～15
15～20
C 4°±0.5° 5～10 ≦50
10～15
15～20
6 C 4°±0.5° 5～10 ≦50
10～15
15～20

その他サイズ、スペックにつきましては、お気軽にお問い合わせ下さい。
Please feel free to contact us for other sizes and specifications.

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