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SiC Silicon carbide

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。

SiCパワー半導体素子の特徴は、

  1. 小さなオン抵抗
  2. 短いスイッチング時間
  3. 高温動作

であり、パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)等に適しております。
また、これら半導体の他、発光ダイオード(LED)の基板としても使用されております。

The band gap of SiC(Silicon carbide) is wider approximately 3 times (3.26eV) than silicon,
the thermal conductivity is more than 3 times, and the breakdown voltage has a characteristic of approximately 10 times (2.8MV/cm).
When I lowered the on-resistance to 10mΩ cm2 same as Si, the withstand voltage of that reaches 1,200V.

Strong point of SiC power device

  1. Small on-resistance
  2. Short switching time
  3. To cope with high operating temperatures

SiC is suitable for the use to Power-MOSFET,IGBTand SBD, and use for LED, too.

SiC 製品写真

Physical Properties

Polytype 4H-SiC
Crystal Structure Hexagonal
Bandgap ~ 3.2eV
Thermal Conductivity ~ 4.9W/cm·K
Electronic mobility ~ 1140c㎡/v・s
Lattice Parameters a ~ 3.073Å
c ~ 10.053Å
Mohs Hardness ~ 9.15

SiC Wafer Specification

4H N-type Silicon Carbide wafers

Size(inch) Grade Orientation Thickness(μm) Micropipe Density
2 A 0°/4°±0.5° 330±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2
3 A 0°/4°±0.5° 350±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2
4 S 4°±0.5° 350±25μm ≦1cm-2
A ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2

6H N-type Silicon Carbide wafers

Size(inch) Grade Orientation Thickness(μm) Micropipe Density
2 A 0°±0.5° 330±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2

4H/6H Semi-insulating Silicon Carbide wafers

Size(inch) Grade Orientation Thickness(μm) Micropipe Density
2 A 0°±0.5° 330±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2
3 A 0°±0.5° 350±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2
4 A 0°±0.5° 350±25μm ≦5cm-2
B ≦15cm-2
C ≦50cm-2

その他サイズ、スペックにつきましては、お気軽にお問い合わせ下さい。また、インゴットでの供給も承ります。
Other sizes and specifications on request. Ingot supply is acceptabble.