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サファイア Sapphire

単結晶サファイアは、高純度のアルミナ(Al2O3ウェハー)を人工的に成長(単結晶化)させた結晶体です。
モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点(2.053℃)と耐プラズマ特性、さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持つサファイアは、LED用GaN(窒化ガリウム)成長基板を中心に、各種基板の他、大型単結晶サファイア(Max.φ370mm)を安価に量産出来る様になった事も有り、各種機構用部品にも幅広い用途が期待されております。
最近では、スマートフォンのカバーガラス等にも多用される様になっております。 キロプロス、HEM、CZ他、各種製法のインゴット及びウェハーを、お客様の用途、スペックに合わせて 素材の提案から精密加工までを行っております。

Sapphire is the crystal which let high purity Almina (Al2O3 wafer) make growth (single crystallization) artificially.
It has a hardness of 9 (Mohs hardness), has a melting point of 2,053°C, and has Plasma properties-resistant.
Furthermore , Sapphire has optically,chemically and electrically superior characteristics too.
The main use is GaN (Gallium nitride) growth substrate for LED now.
By having come to be able to mass-produce large-dia. Sapphire (Max.φ370mm) ,
a wide use is expected in a part for various mechanism.
It comes to be used many for the cover glass of the mobile phone recently.

We SINYO provides the materials of various growing methods (Kyropoulos, HEM, EFG, CZ…) stably.

サファイア Sapphire製品写真 サファイア Sapphire製品写真 サファイア Sapphire製品写真

インゴット・ウェハー Ingot・Wafer

供給可能なサファイア素材

  Kyropoulos HEM CZ CHES VHGF TGT EFG Bernoulli
Max. Dia.
(mm)
300 380 150 250 100 200 120 45
Max. Length
(mm)
450 240 200 150 100 170 800 110
Orientation A,C,R,M A,C,R,M A,C,R,M A,C,R,M A,C,R,M A,C,R,M A A,C,R,M
±5.0°
Grade Optical
,LED,
Mechanical
Optical,
LED,
Mechanical
Optical,
LED,
Mechanical
Optical,
LED,
Mechanical
Optical,
LED,
Mechanical
Optical,
LED,
Mechanical
Mechanical Mechanical

 

サファイア特性データ

基本特性

化学組成
結晶製法
結晶構造
格子

Al2O3
Kyropulos
六立方晶系
a=b=4.77Å、c=13.04Å

機械特性

密度
モース硬度
ヌープ硬度

 

引張強度
曲げ強度
圧縮強度
耐圧強度
破壊係数
ヤング率
ポアッソン比

3.98g/cm3
9
1,800~2,200daN/mm2(C面垂直)
1,775~1,380daN/mm2(C面平行)
26daN/mm2

35~39daN/mm2
210daN/mm2
20,800kg/cm2
5,000~7,000kg/cm2
3.6×104 ~ 4.4×104daN
0.32 ~ 0.36

熱特性

融点
膨張係数

 

熱伝導率
比熱
熱衝撃抵抗

2,040℃
6.7×10-6/℃(C面垂直)
5.0×10-6/℃(C面平行)
0.181cal/gm°K(25℃)
0.418W/m/K(@100℃)
790W/m

光学特性

屈折率(n0)
(λ=589.3nm)
透過波長域

1,769(C面垂直)
1.760(C面平行)
150~5,500nm

電気特性

誘電率

 

体積固有抵抗

 

 

耐電圧

11.5(103-109Hz、25℃)(C面垂直)

9.3(103-109Hz、25℃)(C面平行)

1016Ω・cm(25℃)

1011Ω・cm(500℃)

106Ω・cm(1000℃)

480,000V/cm

エピレディーウェハー Epi Ready Wafer

GaNエピ成長用基板として2,4,6インチ各サイズのウェハーを供給いたします。
インゴットでの供給も可能です。お気軽にご相談下さい。
We can supply Φ2,4 and 6inch Epi ready wafer for GaN epitaxial's growth .

 

Standard Spec of Sapphire Wafer for LED

  Φ2"Epi-Ready Φ4"Epi-Ready Φ6"Epi-Ready
Diameter 50.8±0.1mm 100.0±0.1mm 150.0±0.2mm
Thickness 430±10μm 650±15μm 1300±25μm
Orientation C-plane 0.2°to M-axis±0.1° C-plane 0.2°to M-axis±0.1° C-plane 0.2°to M-axis±0.1°
C-plane 0°to A-axis±0.1° C-plane 0°to A-axis±0.1° C-plane 0°to A-axis±0.1°
Orientation flat length 16.0±1.0mm 30.0±1.0mm 50.0±1.0mm
Primary flat location A-axis±0.2° A-axis±0.3° A-axis±0.3°
Surface Roughness Ra<0.2nm Ra<0.2nm Ra<0.2nm
Back side surface 0.8-1.2μm 0.8-1.2μm 0.8-1.2μm
TTV <10μm <10μm <15μm
BOW <10μm <10μm <25μm

精密加工品 Precision Parts

スライス、ラップ、ポリッシュからマシニング加工を行います。また、極小部品加工、超精密加工まであらゆる加工を御相談下さい。
We can accept all kinds of processing (Slicing , Lapping , Polishing , Machining and Minute Process) .